前段时间，OPPO、vivo 发布了自家 100W 以上功率的快速充电技术，大家都还没缓过神来，沉寂已久的高通，也更新了 Quick Charge 快充协议，来到了 QC 5，同样支持 100W 以上的充电功率，才让大家意识到，新一代的快充技术已经离我们很近。

QC，其实就是高通 Quick Charge 快速充电的缩写，为了统一（骁龙平台机型）而诞生的快充协议；从 2013 年第一代发布至今，已走过了 7 个年头，在 2017 年推出了 QC 4 和 QC 4+ 后，便沉寂了近 3 年；这三年里，OPPO、vivo、小米、华为等厂商的自家协议早已跑到了 QC 前。

在今天看来，QC 1.0 一点都不「快充」，但在当时已经算是一件了不起的事情，要知道在那之前，包括 iPhone 在内的几乎所有手机都被「五福一安」捆住了手脚，充电功率顶多只能到 7.5W。  QC 1.0 突破 USB-IF 当时 1.5A 的上限电流，在保持 5V 的额定电压下，将最大额定电流提升到了 2A，让手机充电功率提升到了 10W，开启两位数的「快充」时代。


 在 QC 1.0，用更大的电流提升充电速率，而 QC2.0，则在 QC 1.0 的 2A 电流基础上，提升电压，最高支持 20V 的电压输出，支持 5V、9V、12V 和 20V 四档电压输出，电流支持 1.5A 和 2A 两种规格输出。QC 2.0 可分为 A、B 两种标准，但市面大多手机采用的是 A 标准，在 Micro-USB 接口上可实现最高 24W 输出，在 USB Type-C 接口上可提供最高 36W 的输出；而 20V 电压输出只存在于 B 标准，理论上可获得 60W 的输出，所以 20V 的 QC 2.0 协议市面上并不常见。  技术上，QC 2.0 利用了 D+/D- 的数据线引脚来改变电压，以获得充电器跟手机的通讯识别（握手），来实时调节和传输更高的充电电压，最终来实现快充。
 
 相比起 2.0，QC 3.0 的处理方式更加智能，电压采用了 3.6 ~ 20V 动态调节，每小级增量 200mV，在 QC 2.0 充电器与手机的握手方式基础上，加入了 INOV 1.0 / 2.0（最佳电压智能协商）算法，智能且动态地匹配充电功率，据说能让 QC 3.0 获得比 QC 2.0 快 38% 的充电速率。  另外，QC 3.0 理论上虽然兼容 Micro-USB 接口，但越来越多的厂商主动地往 Type-C 口迁移，使得最大电流提升到了 3A。低压高流的快充方式，降低了发热量还提升了充电速度。 QC 3.0 发布于 2016 年，而后的 QC 4、QC 4+ 在 2017 年发布了，但在今年的 4 月份，高通特地更新了 QC 3.0 的升级版 QC 3+。 QC 3+ 的存在比较特殊，他针对于高通今年中端的骁龙 765 / 765G 平台，提供比 QC 4 更经济、比 QC 3.0 更高效的快充解决方案。
   QC 3.0 还没捂热，在 2016 年末，高通就推出了第四代 QC 快充技术，命名上发生了小小的变化，直接命名为 QC 4，舍弃了小数点后一位。  QC 4 将 INOV 算法升级到了 3.0 版本，电压将每小级的增量缩小至 20mV，还引入了实时散热管理，据说能获得比上一代高出 20% 的充电速度，以及 30% 的充电效率，A 型 QC 4 的功率最高达到 28W，且兼容 USB DP 协议。 QC 4 虽然兼容 USB DP 协议，但痛点在并不往下兼容自家的 QC 协议，于是乎高通在 2017 年 6 月份发布了 QC 4+，在 QC 4 的基础上，正式兼容 QC 3.0 以及 QC2.0 协议。 

 于上个月发布的 QC 5，正式进入三位数功率时代，最高充电功率可到 100W 以上，据说充电效率比 QC 4 提高 70%，从零充电 5 分钟能获得 50% 的电量。  据高通介绍，QC 5 支持双电池串联和 20V 电压的输出，INOV 算法升级到 4.0，支持 3.3V ~ 20V 的电压微调，另外，QC 5 还进一步（完整）兼容了 USB PD 协议，能让运行温度下降 10℃，进而提升充电效率。 ▲ 历代 QC 快充设备与协议兼容对比 所幸，高通表示 QC 5 能向下兼容 QC 2.0~QC4+ 协议；如今高通针对 QC 5 推出的 SMB1396 / SMB1398 电路已经上市，而第一款搭载 QC 5 快充技术的手机或许很快就来。

部分图片来自 Qualcomm