在距第一代 UFS 解决方案(128 GB)过去四年之后,三星半导体于 1 月 30 日在其官网上宣布 1TB 嵌入式通用闪存 eUFS 2.1 已可量产。


20倍储存容量,每秒1GB高速传输:三星宣布1TB级UFS2.1闪存量产


据悉,新款 UFS 闪存采用了三星第五代 V-NAND 技术,可以提供前代 20 倍的存储容量,比普通 microSD 卡快上 10 倍。在相同的封装尺寸内,1TB eUFS 闪存可包含 16 个三星最新的 V-NAND 闪存和新开发的专有主控,可以存储多达 260 条 10 分钟的 4K UHD 视频。


20倍储存容量,每秒1GB高速传输:三星宣布1TB级UFS2.1闪存量产


新款 UFS 闪存还有着高达 1000MB/s 的速度,可以在 5 秒内传输 5GB 的高清视频,是普通 microSD 卡速度的10倍。此外,其随机读取速度提高了 38% ,最高可达 58,000 IOPS 。随机写入比高性能 microSD 卡快 500 倍,最高可达 50,000 IOPS 。


20倍储存容量,每秒1GB高速传输:三星宣布1TB级UFS2.1闪存量产


据其官方公告,三星将于今年上半年在其位于韩国的 Pyeongtaek 工厂扩大其第五代 512Gb V-NAND 的产量,以全面满足全球各类闪存采购商。


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